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[華為] 華為"韜定律"突然火了!替代摩爾定律?

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在5月25日召開的2026國際電路與系統研討會上,華為公司董事、半導體業務部總裁何庭波發布“韜定律”。基於該定律,華為過去六年已成功設計並量產381款芯片,預計到2031年,華為高端芯片晶體管密度將達到1.4納米制程的同等水平。



“韜定律”是什麼?它是否有望突破曾經的“鐵律”摩爾定律,在半導體領域開辟出一條新道路?




5月25日,何庭波在2026國際電路與系統研討會上。圖源:新華社

摩爾定律已“撞牆”

要理解“韜定律”這個新方向,需先了解已經引領半導體行業演進近半個世紀的摩爾定律。


1965年,快捷半導體和英特爾創始人之一戈登·摩爾提出摩爾定律。他認為,集成電路上的晶體管數量大約每兩年翻一番,也意味著芯片性能大約每隔兩年翻一倍。




快捷半導體和英特爾創始人之一戈登·摩爾。圖源:Getty

因此,過去數十年裡,半導體發展大多遵循摩爾定律,行業也形成了一套容易理解的演進語言:7納米、5納米、3納米、2納米。也就是依靠制程工藝縮小晶體管尺寸,以達到更高集成度、更好性能和更低成本,這也成為芯片性能的重要判斷標准。

但隨著數字越來越小,芯片制程很快逼近物理極限。晶體管已經小到幾個納米級別,大約是幾十個原子排成一排的寬度。再繼續縮小,量子隧穿效應會讓電子不受控制地“漏”出去,使晶體管不再可靠。


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