全球首顆!復旦大學創新存儲芯片登上Nature頂刊

2025-10-11 | 來源: 芯東西 | 轉到微信 | 有0人參與評論 | 字體: 放大縮小 | 收藏 | 打印

芯片良率超過94%。

芯東西10月11日報道，10月8日，復旦大學團隊研發的全球首顆二維-硅基混合架構芯片，相關研究成果在國際頂級學術期刊Nature上發表。

該成果將二維超快閃存與成熟互補金屬氧化物半導體（CMOS）工藝深度融合，攻克了二維信息器件工程化的關鍵難題，解決了存儲速率的技術難題。

據復旦大學公眾號介紹，這顆芯片性能“碾壓”目前的Flash閃存技術，首次實現了混合架構的工程化。依托前期完成的研究成果與集成工作，此次打造出的芯片已成功流片。

基於CMOS電路控制二維存儲核心的全片測試支持8-bit指令操作，32-bit高速並行操作與隨機尋址，良率高達94.34%。

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論文題目為《全功能二維-硅基混合架構閃存芯片》。復旦大學集成電路與微納電子創新學院、集成芯片與系統全國重點實驗室研究員劉春森和教授周鵬為論文通訊作者，劉春森研究員和博士生江勇波、沈伯僉、袁晟超、曹振遠為論文第一作者。

論文鏈接：

https://www.nature.com/articles/s41586-025-09621-8

這是時隔半年，繼“破曉（PoX）”皮秒閃存器件問世後，復旦大學在二維電子器件工程化領域再獲得的一項裡程碑式突破。

今年4月，周鵬-劉春森團隊於Nature期刊提出“破曉”二維閃存原型器件，實現了400皮秒超高速非易失存儲，是迄今最快的半導體電荷存儲技術，為打破算力發展困境提供了底層原理。

其團隊研發的“長纓（CY-01）”架構將二維超快閃存器件“破曉（PoX）”與成熟硅基CMOS工藝深度融合，研發出一款基於原子級器件到芯片（ATOM2CHIP）技術實現的全功能二維NOR閃存芯片。