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闪存之父的诅咒:日本如何亲手葬送了自己的存储帝国


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但就在舛冈富士雄发明NAND的同一年——1986年,一份协议改变了整个产业的走向。


那一年,美国迫使日本签署了《美日半导体协议》,规定日本芯片出口必须设定最低价格,并强制向美国企业开放日本市场。

正是这个被撕开的缺口,让一些此前几乎没有机会的竞争者悄然挤了进来。




这其中最耀眼的竞争者,便是三星电子和闪迪。

日本企业不同,三星做到了日本企业始终没有魄力做到的事:把整个集团的赌注,all in在存储芯片上。它甚至用低于成本的价格打市场,用亏损换规模,用政府背书的资本撑过一轮又一轮的周期低谷。



而闪迪创立于《美日半导体协议》签署后的第二年,它的起家方式,是与东芝合作建厂,直接借助东芝的技术授权生产闪存产品,最终长成了一家市值超过2000亿美元的公司。换句话说,闪迪最初的地基,便是由东芝亲手打下的。


反观日本企业守着既有的产品线,看着这些学生一点一点蚕食自己的市场份额,却始终没有魄力进行彻底的产品转型。

进入2000年代,日本存储芯片产业的溃败已成定局。

这时,我们再回看故事的主角舛冈富士雄。


在很长一段时间里,东芝为避免尴尬,曾长期拒绝承认舛冈富士雄的发明者身份。为了撇清关系,其公关部门甚至多次对外声称,闪存技术的发明者是英特尔。

这个说法一度广泛流传,舛冈的名字几乎从这项技术的起源叙事中被悄然抹去。

直到1997年,IEEE(国际电气与电子工程师协会)专门为他颁发了特别贡献奖,东芝才不得不公开承认他的发明者身份。



九年后,舛冈将东芝公司告上法庭,索要10亿日元的发明补偿。经过了旷日持久的拉锯,最终他拿到了8700万日元的补偿,折合美元约75万。
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