華為: 華為芯片真實表現最新報告發布拆解結果

2026-06-15 | 來源: 自由時報 | 轉到微信 | 有3人參與評論 | 字體: 放大縮小 | 收藏 | 打印

中國華為Mate 80 Pro Max智慧型手機，搭載的麒麟9030 Pro芯片，采用中芯國際 N+3 制程，這是其早期 N+2（7奈米制程）的進階版，為迄今為止中國最先進的國產半導體制造技術。《SemiAnalysis》15日發布拆解結果，中芯 N+3 制程相當於台積電的 N6 制程（6奈米，屬於7奈米家族強化版），但制程成熟度、良率及成本仍無法與台積電N6相提並論，中國並沒有縮小與台積電、英特爾、三星和之間的差距。

《SemiAnalysis》發布報告指出，拆解華為Mate 80系列所搭載的麒麟9030，揭開中芯中芯國際 N+3 制程真實水准。中國半導體技術雖有進展，仍遠遠落後台積電。

報告顯示，中芯國際 N+3 制程在電晶體密度上相當於 N6 制程（6奈米，屬於7奈米家族強化版）制程，但付出的代價相當大，需要更復雜的DUV多重曝光技術，因此在制程成熟度和成本仍無法與台積電N6相提並論。

中媒直言，如果用交易員聽得的比喻來說，就是中芯國際在做同樣面額的鈔票，但每張成本是台積電的數倍，而且良率更低，如同《SemiAnalysis》所言，制程成熟度和成本仍無法與台積電N6相提並論。

報告還指出，華為麒麟9030 Pro的效能與三年前的安卓旗艦芯片相仿，遠落後於蘋果、高通、聯發科和三星目前的旗艦級芯片，能效差距則更大。

報告指出，美國聯手盟友對中國的出口管制，並未阻止華為和中芯國際交付先進芯片，但卻迫使它們另辟蹊徑。由於無法使用EUV，中芯國際更加依賴DUV多重曝光、DTCO（設計制程協同優化），以及日益復雜的整合技術。

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盡管路線圖仍在透過更嚴格的設計規則和背面功耗來推進，但每一步都會增加成本和制程風險，華為的韜定律和LogicFolding則展現了另一條路。

報道直言，中芯國際尚未超越英特爾或台積電。它采用激進的DUV微縮技術和DTCO技術實現了台積電N6等級的密度，但由於兩個原因，這種密度並沒有轉化為可比擬的性能和效率：一是與領先制程的差距，二是華為的核心設計。

中國並沒有縮小與英特爾、三星和台積電之間的差距。拆解結果在多個地方都顯示出相反的情況：沒有采用EUV，沒有背面功耗控制，制程復雜度更高，而且有明顯的取舍。

報告總結，中國仍不斷推進半導體技術，如果國產芯片的性能足以滿足手機、推理、網絡和安全敏感型工作負載的需求，即使無法在技術領先地位上與台積電匹敵，它們也能在戰略上發揮重要作用。